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N型硅片

  • 成熟工藝,N型高效技術(shù)

  • 先進設(shè)備,推進降本增效

  • 6S精益管理,鍛造卓越品質(zhì)

  • 大尺寸,薄片化,低硅耗,高效率、可定制

  • 少子壽命:≥1000us

  • 電阻率:0.3-2.1Ω.cm

  • 碳含量:≤0.5×1017atoms/cm3

  • 氧含量:≤6.0×1017atoms/cm3

尺寸

  • 182硅片
    尺寸 :182±0.25mm
    摻雜方式 :N型摻磷
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  • 210硅片
    尺寸 :210±0.25mm
    摻雜方式 :N型摻磷
    174-630.png

材料特性

項目規(guī)格檢測方法
生長方式 CZ /
晶體晶向 <100>±3° X射線衍射定向法
導(dǎo)電類型 N型 P/N型測試儀
位錯密度/cm2 ≤500 X射線衍射儀(ASTM F26-1987)
項目 生長方式
規(guī)格 CZ
檢測方法 /
項目 晶體晶向
規(guī)格 <100>±3°
檢測方法 X射線衍射定向法
項目 導(dǎo)電類型
規(guī)格 N型
檢測方法 P/N型測試儀
項目 位錯密度/cm2
規(guī)格 ≤500
檢測方法 X射線衍射儀(ASTM F26-1987)

電性能

項目規(guī)格檢測方法
氧含量 ≤6.0×1017atoms/cm3 傅里葉變換紅外光譜儀
碳含量 ≤0.5×1017atoms/cm3 傅里葉變換紅外光譜儀
電阻率 0.3-2.1Ω.cm 硅片自動檢測設(shè)備
少子壽命 ≥1000us Sinton BCT-400 QSSPC準穩(wěn)態(tài)光電導(dǎo)衰減法 Transient瞬態(tài)光電導(dǎo)衰減法 (with injection level: 1E15 cm-3)
項目 氧含量
規(guī)格 ≤6.0×1017atoms/cm3
檢測方法 傅里葉變換紅外光譜儀
項目 碳含量
規(guī)格 ≤0.5×1017atoms/cm3
檢測方法 傅里葉變換紅外光譜儀
項目 電阻率
規(guī)格 0.3-2.1Ω.cm
檢測方法 硅片自動檢測設(shè)備
項目 少子壽命
規(guī)格 ≥1000us
檢測方法 Sinton BCT-400 QSSPC準穩(wěn)態(tài)光電導(dǎo)衰減法 Transient瞬態(tài)光電導(dǎo)衰減法 (with injection level: 1E15 cm-3)

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